casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STD4NS25T4
codice articolo del costruttore | STD4NS25T4 |
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Numero di parte futuro | FT-STD4NS25T4 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MESH OVERLAY™ |
STD4NS25T4 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1 Ohm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 355pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 50W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STD4NS25T4 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STD4NS25T4-FT |
STD12NF06LT4
STMicroelectronics
STD12NM50N
STMicroelectronics
STD12NM50ND
STMicroelectronics
STD130N4F6AG
STMicroelectronics
STD130N6F7
STMicroelectronics
STD134N4F7AG
STMicroelectronics
STD13N60DM2
STMicroelectronics
STD13NM60ND
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STD140N6F7
STMicroelectronics
STD14NM50N
STMicroelectronics
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel