casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STD50NH02LT4
codice articolo del costruttore | STD50NH02LT4 |
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Numero di parte futuro | FT-STD50NH02LT4 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | STripFET™ III |
STD50NH02LT4 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 24V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 60W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STD50NH02LT4 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STD50NH02LT4-FT |
STD12NM50ND
STMicroelectronics
STD130N4F6AG
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STD130N6F7
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STD134N4F7AG
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STD150N3LLH6
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A54SX32A-TQG176M
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M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
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5SGSMD6K1F40C2LN
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EP4SE360H29I3
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5SGXEA7N3F45C2LN
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LFXP2-30E-6FT256I
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EPF10K10LC84-4N
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EP4SGX360HF35I4
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