casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STL12P6F6
codice articolo del costruttore | STL12P6F6 |
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Numero di parte futuro | FT-STL12P6F6 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DeepGATE™, STripFET™ VI |
STL12P6F6 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 340pF @ 48V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 75W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerFlat™ (5x6) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STL12P6F6 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STL12P6F6-FT |
STD4N90K5
STMicroelectronics
STD4NK50ZD
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STD4NK50ZT4
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AT40K40AL-1BQI
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XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
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A42MX36-1PQG208I
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EP2S15F484C3
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EP1S10F484C7N
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EP1K30FC256-2
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EP2AGX45DF25I5
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LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation