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STMicroelectronics STH130N10F3-2

Numero parte MFG
STH130N10F3-2
quantità disponibile
81760 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 1.65088
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fabbricante
STMicroelectronics
Breve descrizione
STripFET™ III MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK-2
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore STH130N10F3-2
Numero di parte futuro FT-STH130N10F3-2
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie STripFET™ III
STH130N10F3-2 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.3 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3305pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore H2Pak-2
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STH130N10F3-2 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio STH130N10F3-2-FT

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