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Taiwan Semiconductor Corporation TSM120NA03CR RLG

Name: TSM120NA03CR RLG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM120NA03CR RLG
Price: 0.164608 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (771 reviews)

Numero parte MFG: TSM120NA03CR RLG

quantità disponibile: 73340 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.164608

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fabbricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TSM120NA03CR RLG.pdf

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TSM120NA03CR RLG specificazioni

codice articolo del costruttore	TSM120NA03CR RLG
Numero di parte futuro	FT-TSM120NA03CR RLG
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
TSM120NA03CR RLG Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	39A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.7 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.2nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	562pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	33W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-PDFN (5x6)
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM120NA03CR RLG Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TSM120NA03CR RLG-FT

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