casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STF13N60DM2
codice articolo del costruttore | STF13N60DM2 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-STF13N60DM2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ DM2 |
STF13N60DM2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 365 mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 730pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 25W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FP |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STF13N60DM2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STF13N60DM2-FT |
STF18N65M5
STMicroelectronics
STF8N80K5
STMicroelectronics
STFU13N65M2
STMicroelectronics
STF25N10F7
STMicroelectronics
STF27N60M2-EP
STMicroelectronics
STF28N60M2
STMicroelectronics
STF9N80K5
STMicroelectronics
STF28NM60ND
STMicroelectronics
STF6N52K3
STMicroelectronics
STF8NK100Z
STMicroelectronics
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel