casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STF25N10F7
codice articolo del costruttore | STF25N10F7 |
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Numero di parte futuro | FT-STF25N10F7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DeepGATE™, STripFET™ VII |
STF25N10F7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 12.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 25W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FP |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STF25N10F7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STF25N10F7-FT |
STW25NM60N
STMicroelectronics
STW25NM60ND
STMicroelectronics
STW26NM50
STMicroelectronics
STW26NM60
STMicroelectronics
STW27NM60ND
STMicroelectronics
STW28N60DM2
STMicroelectronics
STW28NK60Z
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STW29NK50Z
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STW29NK50ZD
STMicroelectronics
STW30N20
STMicroelectronics
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel