casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STF27N60M2-EP
codice articolo del costruttore | STF27N60M2-EP |
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Numero di parte futuro | FT-STF27N60M2-EP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ M2-EP |
STF27N60M2-EP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 163 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.75V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1320pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 30W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FP |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STF27N60M2-EP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STF27N60M2-EP-FT |
STW25NM60ND
STMicroelectronics
STW26NM50
STMicroelectronics
STW26NM60
STMicroelectronics
STW27NM60ND
STMicroelectronics
STW28N60DM2
STMicroelectronics
STW28NK60Z
STMicroelectronics
STW29NK50Z
STMicroelectronics
STW29NK50ZD
STMicroelectronics
STW30N20
STMicroelectronics
STW30NF20
STMicroelectronics
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP4SE360H29I3
Intel
5SGXEA7N3F45C2LN
Intel
LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
Intel
EPF10K10LC84-4N
Intel
EP4SGX360HF35I4
Intel