casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STD4N62K3
codice articolo del costruttore | STD4N62K3 |
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Numero di parte futuro | FT-STD4N62K3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperMESH3™ |
STD4N62K3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 620V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.95 Ohm @ 1.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 70W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STD4N62K3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STD4N62K3-FT |
STD12N50DM2
STMicroelectronics
STD12N50M2
STMicroelectronics
STD12N60DM2AG
STMicroelectronics
STD12N60M2
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STD12N65M2
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STD12N65M5
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STD12NF06LT4
STMicroelectronics
STD12NM50N
STMicroelectronics
STD12NM50ND
STMicroelectronics
STD130N4F6AG
STMicroelectronics
M2GL050-1FG484
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
XC5VLX50-2FF324I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
Intel
EP1C20F324C8N
Intel