casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STD12N65M2
codice articolo del costruttore | STD12N65M2 |
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Numero di parte futuro | FT-STD12N65M2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ M2 |
STD12N65M2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 535pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 85W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STD12N65M2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STD12N65M2-FT |
STP8NM60N
STMicroelectronics
STP8NM60ND
STMicroelectronics
STP8NS25
STMicroelectronics
STP90N4F3
STMicroelectronics
STP90N55F4
STMicroelectronics
STP95N04
STMicroelectronics
STP95N2LH5
STMicroelectronics
STP95N3LLH6
STMicroelectronics
STP9NK60ZD
STMicroelectronics
STP9NK70Z
STMicroelectronics
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel