casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STD12N60M2
codice articolo del costruttore | STD12N60M2 |
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Numero di parte futuro | FT-STD12N60M2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ M2 |
STD12N60M2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 538pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 85W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STD12N60M2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STD12N60M2-FT |
STP8NM60D
STMicroelectronics
STP8NM60N
STMicroelectronics
STP8NM60ND
STMicroelectronics
STP8NS25
STMicroelectronics
STP90N4F3
STMicroelectronics
STP90N55F4
STMicroelectronics
STP95N04
STMicroelectronics
STP95N2LH5
STMicroelectronics
STP95N3LLH6
STMicroelectronics
STP9NK60ZD
STMicroelectronics
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation