casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STD4N52K3
codice articolo del costruttore | STD4N52K3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-STD4N52K3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperMESH3™ |
STD4N52K3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 525V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 Ohm @ 1.25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 334pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 45W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STD4N52K3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STD4N52K3-FT |
STD120N4LF6
STMicroelectronics
STD12N50DM2
STMicroelectronics
STD12N50M2
STMicroelectronics
STD12N60DM2AG
STMicroelectronics
STD12N60M2
STMicroelectronics
STD12N65M2
STMicroelectronics
STD12N65M5
STMicroelectronics
STD12NF06LT4
STMicroelectronics
STD12NM50N
STMicroelectronics
STD12NM50ND
STMicroelectronics
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel