casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STD4LN80K5
codice articolo del costruttore | STD4LN80K5 |
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Numero di parte futuro | FT-STD4LN80K5 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ K5 |
STD4LN80K5 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.7nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 122pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 60W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STD4LN80K5 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STD4LN80K5-FT |
STD120N4F6
STMicroelectronics
STD120N4LF6
STMicroelectronics
STD12N50DM2
STMicroelectronics
STD12N50M2
STMicroelectronics
STD12N60DM2AG
STMicroelectronics
STD12N60M2
STMicroelectronics
STD12N65M2
STMicroelectronics
STD12N65M5
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STD12NF06LT4
STMicroelectronics
STD12NM50N
STMicroelectronics
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.