casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STP8NS25
codice articolo del costruttore | STP8NS25 |
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Numero di parte futuro | FT-STP8NS25 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MESH OVERLAY™ |
STP8NS25 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51.8nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 770pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 80W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STP8NS25 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STP8NS25-FT |
STP20N65M5
STMicroelectronics
STP20NE06L
STMicroelectronics
STP20NF06
STMicroelectronics
STP20NF06L
STMicroelectronics
STP20NM60A
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STP20NM65N
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STP21NM50N
STMicroelectronics
STP21NM60N
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STP21NM60ND
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STP220N6F7
STMicroelectronics
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
EPF10K20RC240-3N
Intel
EP20K1000EFC33-3
Intel