casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STP8NM60N
codice articolo del costruttore | STP8NM60N |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-STP8NM60N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ II |
STP8NM60N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 70W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STP8NM60N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STP8NM60N-FT |
STP200NF04L
STMicroelectronics
STP20N20
STMicroelectronics
STP20N65M5
STMicroelectronics
STP20NE06L
STMicroelectronics
STP20NF06
STMicroelectronics
STP20NF06L
STMicroelectronics
STP20NM60A
STMicroelectronics
STP20NM65N
STMicroelectronics
STP21NM50N
STMicroelectronics
STP21NM60N
STMicroelectronics
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel