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STMicroelectronics STB45N50DM2AG

Name: STB45N50DM2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB45N50DM2AG
Price: 2.5604 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (780 reviews)

Numero parte MFG: STB45N50DM2AG

quantità disponibile: 31700 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 2.5604

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: STMicroelectronics

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 MOSFET N-CH 500V 35A

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: STB45N50DM2AG.pdf

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STB45N50DM2AG specificazioni

codice articolo del costruttore	STB45N50DM2AG
Numero di parte futuro	FT-STB45N50DM2AG
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
STB45N50DM2AG Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	35A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	84 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	57nC @ 10V
Vgs (massimo)	±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2600pF @ 100V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	250W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D2PAK
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STB45N50DM2AG Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	STB45N50DM2AG-FT

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