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Taiwan Semiconductor Corporation TSM170N06PQ56 RLG

Numero parte MFG
TSM170N06PQ56 RLG
quantità disponibile
31850 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.18216
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fabbricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore TSM170N06PQ56 RLG
Numero di parte futuro FT-TSM170N06PQ56 RLG
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
TSM170N06PQ56 RLG Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 44A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1556pF @ 30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 73.5W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDFN (5x6)
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM170N06PQ56 RLG Peso Contattaci
Numero parte di ricambio TSM170N06PQ56 RLG-FT

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