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Taiwan Semiconductor Corporation TSM120N10PQ56 RLG

Numero parte MFG
TSM120N10PQ56 RLG
quantità disponibile
20200 pezzi
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fabbricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore TSM120N10PQ56 RLG
Numero di parte futuro FT-TSM120N10PQ56 RLG
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
TSM120N10PQ56 RLG Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 58A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 145nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3902pF @ 30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 36W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDFN (5x6)
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM120N10PQ56 RLG Peso Contattaci
Numero parte di ricambio TSM120N10PQ56 RLG-FT

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