casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STB32N65M5
codice articolo del costruttore | STB32N65M5 |
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Numero di parte futuro | FT-STB32N65M5 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ V |
STB32N65M5 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 119 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3320pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STB32N65M5 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STB32N65M5-FT |
STN1NF20
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XC6SLX150T-2CSG484I
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M2GL010-FGG484I
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A54SX32A-CQ256M
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A3PN250-2VQ100
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5SGXEA5K2F40I3L
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5SGXMA9N2F45C2LN
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XC7VX690T-1FF1157I
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XC4VLX160-10FF1148C
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XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.