casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STV160NF02LT4
codice articolo del costruttore | STV160NF02LT4 |
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Numero di parte futuro | FT-STV160NF02LT4 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | STripFET™ II |
STV160NF02LT4 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 160A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±15V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 210W (Tc) |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 10-PowerSO |
Pacchetto / caso | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STV160NF02LT4 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STV160NF02LT4-FT |
STF14NM65N
STMicroelectronics
STF150N10F7
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