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STMicroelectronics STV200N55F3

Name: STV200N55F3
Brand: STMicroelectronics
SKU: STV200N55F3
Price: 3.66528 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (350 reviews)

Numero parte MFG: STV200N55F3

quantità disponibile: 88070 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 3.66528

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fabbricante: STMicroelectronics

Breve descrizione: STripFET™ MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: STV200N55F3.pdf

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STV200N55F3 specificazioni

codice articolo del costruttore	STV200N55F3
Numero di parte futuro	FT-STV200N55F3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	STripFET™
STV200N55F3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	200A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6800pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	10-PowerSO
Pacchetto / caso	PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STV200N55F3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	STV200N55F3-FT

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