casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STB20NM60D
codice articolo del costruttore | STB20NM60D |
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Numero di parte futuro | FT-STB20NM60D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FDmesh™ |
STB20NM60D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 192W (Tc) |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STB20NM60D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STB20NM60D-FT |
STH110N10F7-6
STMicroelectronics
STH180N10F3-6
STMicroelectronics
STH245N75F3-6
STMicroelectronics
STH250N55F3-6
STMicroelectronics
STH400N4F6-6
STMicroelectronics
STB45NF06T4
STMicroelectronics
STS7P4LLF6
STMicroelectronics
STS9P3LLH6
STMicroelectronics
STL18N60M2
STMicroelectronics
STR1P2UH7
STMicroelectronics
LCMXO256C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
XC2V1500-6BGG575C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VTX150T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45I2SG
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel