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STMicroelectronics STH110N10F7-6

Name: STH110N10F7-6
Brand: STMicroelectronics
SKU: STH110N10F7-6
Availability: InStock
Rating: 4.9 (692 reviews)

Numero parte MFG: STH110N10F7-6

quantità disponibile: 70190 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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fabbricante: STMicroelectronics

Breve descrizione: DeepGATE™, STripFET™ VII MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: STH110N10F7-6.pdf

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STH110N10F7-6 specificazioni

codice articolo del costruttore	STH110N10F7-6
Numero di parte futuro	FT-STH110N10F7-6
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	DeepGATE™, STripFET™ VII
STH110N10F7-6 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	110A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	72nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5117pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	150W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	H2PAK-6
Pacchetto / caso	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STH110N10F7-6 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	STH110N10F7-6-FT

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