casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STH180N10F3-6
codice articolo del costruttore | STH180N10F3-6 |
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Numero di parte futuro | FT-STH180N10F3-6 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | STripFET™ III |
STH180N10F3-6 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 114.6nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6665pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 315W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | H2PAK-6 |
Pacchetto / caso | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STH180N10F3-6 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STH180N10F3-6-FT |
STP9NK70ZFP
STMicroelectronics
STF100N10F7
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STF38N65M5
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STF10NM65N
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XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
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LCMXO2-7000HC-4BG332C
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LCMXO2-7000HE-4BG332C
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