casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STH310N10F7-2
codice articolo del costruttore | STH310N10F7-2 |
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Numero di parte futuro | FT-STH310N10F7-2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DeepGATE™, STripFET™ VII |
STH310N10F7-2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 12800pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 315W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | H2Pak-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STH310N10F7-2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STH310N10F7-2-FT |
TSM070NA04LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM070NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM070NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM080N03EPQ56 RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM080N03PQ56 RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM089N08LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM110NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM110NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM130NB06CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM130NB06LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel