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ON Semiconductor SSVMUN5312DW1T2G

Numero parte MFG
SSVMUN5312DW1T2G
quantità disponibile
52430 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.08528
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
- TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
SSVMUN5312DW1T2G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 22 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione -
Potenza - Max 187mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSVMUN5312DW1T2G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio SSVMUN5312DW1T2G-FT

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