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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFE(T5L,F

Numero parte MFG
SSM6N7002BFE(T5L,F
quantità disponibile
77860 pezzi
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fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
- MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-SSM6N7002BFE(T5L,F
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
SSM6N7002BFE(T5L,F Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 17pF @ 25V
Potenza - Max 150mW
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore ES6 (1.6x1.6)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM6N7002BFE(T5L,F Peso Contattaci
Numero parte di ricambio SSM6N7002BFE(T5L,F-FT

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