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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N16FUTE85LF

Numero parte MFG
SSM6N16FUTE85LF
quantità disponibile
13800 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.0608
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Data di spedizione
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fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
- MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore SSM6N16FUTE85LF
Numero di parte futuro FT-SSM6N16FUTE85LF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
SSM6N16FUTE85LF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9.3pF @ 3V
Potenza - Max 200mW
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore US6
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM6N16FUTE85LF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio SSM6N16FUTE85LF-FT

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