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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N16FUTE85LF
- Numero parte MFG
- SSM6N16FUTE85LF
- quantità disponibile
- 13800 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.0608
- Il nostro prezzo
- Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Breve descrizione
- - MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFET - Array
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- SSM6N16FUTE85LF.pdf
SSM6N16FUTE85LF specificazioni
| codice articolo del costruttore | SSM6N16FUTE85LF |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-SSM6N16FUTE85LF |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| SSM6N16FUTE85LF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 10mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9.3pF @ 3V |
| Potenza - Max | 200mW |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | US6 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SSM6N16FUTE85LF Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | SSM6N16FUTE85LF-FT |
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