casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SI7212DN-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI7212DN-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI7212DN-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SI7212DN-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.9A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 6.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | 1.3W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7212DN-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI7212DN-T1-E3-FT |
SI1025X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1026X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1029X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1033X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1034CX-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1034X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1035X-T1-E3
Vishay Siliconix
SIB911DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5504BDC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5935CDC-T1-GE3
Vishay Siliconix
A1020B-1VQ80C
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EX256-FTQG100
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5SGXEA3K2F40C2L
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A3PE1500-FGG676I
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