casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SI7923DN-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI7923DN-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI7923DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI7923DN-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47 mOhm @ 6.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | 1.3W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7923DN-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI7923DN-T1-GE3-FT |
SI1024X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1025X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1026X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1029X-T1-E3
Vishay Siliconix
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SI1034CX-T1-GE3
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SIB911DK-T1-GE3
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