casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS33HE3_B/H
codice articolo del costruttore | SS33HE3_B/H |
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Numero di parte futuro | FT-SS33HE3_B/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SS33HE3_B/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS33HE3_B/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS33HE3_B/H-FT |
SIDC08D60C6
Infineon Technologies
SIDC08D60C6Y
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SIDC09D60E6 UNSAWN
Infineon Technologies
SIDC09D60E6X1SA1
Infineon Technologies
SIDC09D60E6YX1SA1
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SIDC09D60F6X1SA2
Infineon Technologies
SIDC10D120H6X1SA5
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SIDC110D170HX1SA2
Infineon Technologies
SIDC11D60SIC3
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SIDC14D120E6X1SA4
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LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
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XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel