casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SIDC11D60SIC3
codice articolo del costruttore | SIDC11D60SIC3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIDC11D60SIC3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SIDC11D60SIC3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.9V @ 4A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 150pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Die |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sawn on foil |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIDC11D60SIC3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIDC11D60SIC3-FT |
SD233N45S50PSC
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD233R36S50PSC
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD241
Microsemi Corporation
SD24145
Microsemi Corporation
SD241HR2
Microsemi Corporation
SD453N16S20PC
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD453R16S20PC
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD453R20S30PC
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD500N30PSC
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD500N45PSC
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-2XA
Intel
5SGXMA7N2F45C2
Intel
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
LFXP3E-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6
Intel
EP1C12F324C8
Intel
EPF6024AQC208-3
Intel