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Infineon Technologies SIDC09D60E6YX1SA1

Numero parte MFG
SIDC09D60E6YX1SA1
quantità disponibile
31600 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
- DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore SIDC09D60E6YX1SA1
Numero di parte futuro FT-SIDC09D60E6YX1SA1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
SIDC09D60E6YX1SA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Discontinued at Future Semiconductor
Diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Corrente: media rettificata (Io) 20A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 20A
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 150ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 27µA @ 600V
Capacità @ Vr, F -
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso Die
Pacchetto dispositivo fornitore Sawn on foil
Temperatura operativa - Giunzione -55°C ~ 150°C
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIDC09D60E6YX1SA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio SIDC09D60E6YX1SA1-FT

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