casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / CS2J-E3/I
codice articolo del costruttore | CS2J-E3/I |
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Numero di parte futuro | FT-CS2J-E3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CS2J-E3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 2A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2.1µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CS2J-E3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CS2J-E3/I-FT |
SS2H10HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2J-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10BQ040-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSB310-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL23-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
B360B-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS160-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2B-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2G-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel