casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RS2AHE3_A/H
codice articolo del costruttore | RS2AHE3_A/H |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RS2AHE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
RS2AHE3_A/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS2AHE3_A/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RS2AHE3_A/H-FT |
MURS160-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2B-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2G-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2MHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSB44-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BJ-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2G-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS23S-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V1500-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC4010E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027H3F35E2LG
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XCV150-6BG256C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel