casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS24MHRSG
codice articolo del costruttore | SS24MHRSG |
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Numero di parte futuro | FT-SS24MHRSG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SS24MHRSG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 150µA @ 40V |
Capacità @ Vr, F | 35pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 2-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | Micro SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS24MHRSG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS24MHRSG-FT |
SS110 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS115 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS115HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS115HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel