casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS110HM2G
codice articolo del costruttore | SS110HM2G |
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Numero di parte futuro | FT-SS110HM2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SS110HM2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS110HM2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS110HM2G-FT |
HS1F R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1G M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1J M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1K M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1M M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2AA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2BA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2DA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2FA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2GA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel