casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS12HM2G
codice articolo del costruttore | SS12HM2G |
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Numero di parte futuro | FT-SS12HM2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SS12HM2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS12HM2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS12HM2G-FT |
HS2BA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2DA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2FA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2GA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2JA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2KA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2MA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S400-5FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FGG256I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C7
Intel
5SGXMB6R1F40C2LN
Intel
XC5VLX110-1FFG1760C
Xilinx Inc.
XC5VLX155T-3FFG1136C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7U19C8N
Intel