casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS1H9-M3/5AT
codice articolo del costruttore | SS1H9-M3/5AT |
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Numero di parte futuro | FT-SS1H9-M3/5AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SS1H9-M3/5AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 860mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 90V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS1H9-M3/5AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS1H9-M3/5AT-FT |
RS1B-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1B-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1B-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1D-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1D-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1D-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1DHE3_A/I
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