casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RS1BHE3_A/H
codice articolo del costruttore | RS1BHE3_A/H |
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Numero di parte futuro | FT-RS1BHE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
RS1BHE3_A/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS1BHE3_A/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RS1BHE3_A/H-FT |
BYG24D-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24D-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24G-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24G-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24G-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24J-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24J-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24J-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21M/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel