casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RS1D-M3/5AT
codice articolo del costruttore | RS1D-M3/5AT |
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Numero di parte futuro | FT-RS1D-M3/5AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RS1D-M3/5AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS1D-M3/5AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RS1D-M3/5AT-FT |
BYG24G-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24G-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24J-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24J-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24J-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21M/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
B120-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel