casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS14-E3/5AT
codice articolo del costruttore | SS14-E3/5AT |
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Numero di parte futuro | FT-SS14-E3/5AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SS14-E3/5AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 40V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS14-E3/5AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS14-E3/5AT-FT |
VSSAF56-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5N50-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1AFG-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1AFG-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1AFJ-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1AFJ-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1AFK-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1AFK-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1AFM-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PAJ-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel