casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VSSAF5N50-M3/6A
codice articolo del costruttore | VSSAF5N50-M3/6A |
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Numero di parte futuro | FT-VSSAF5N50-M3/6A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS®, SlimSMA™ |
VSSAF5N50-M3/6A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 410mV @ 2.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1.4mA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 850pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-221AC (SlimSMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSSAF5N50-M3/6A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VSSAF5N50-M3/6A-FT |
MMBD6050-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD6050-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD6050-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD6050-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD6050-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD6050-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD914-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD914-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD914-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD914-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX250-FG256I
Microsemi Corporation
MPF300TLS-FCVG484I
Microsemi Corporation
5AGXBA5D6F27C6N
Intel
10M04SFE144I7G
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXEA5K2F35C3N
Intel
XC7V2000T-1FLG1925I
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQG176
Microsemi Corporation
LFE2-50E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation