casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S1AFJ-M3/6B
codice articolo del costruttore | S1AFJ-M3/6B |
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Numero di parte futuro | FT-S1AFJ-M3/6B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1AFJ-M3/6B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.47µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 7.9pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-221AC (SlimSMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1AFJ-M3/6B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1AFJ-M3/6B-FT |
MMBD6050-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD6050-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD914-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD914-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD914-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD914-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD914-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148WFL-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF30100S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20100S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200-5VQ100C
Xilinx Inc.
10M04SAU169C8G
Intel
10AX027H4F35E3LG
Intel
10M50SAE144I7G
Intel
XC6SLX4-2CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4L
Intel
EPF10K50EQC208-1N
Intel