casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S1AFJ-M3/6B
codice articolo del costruttore | S1AFJ-M3/6B |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-S1AFJ-M3/6B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1AFJ-M3/6B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.47µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 7.9pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-221AC (SlimSMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1AFJ-M3/6B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1AFJ-M3/6B-FT |
MMBD6050-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD6050-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD914-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD914-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD914-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD914-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD914-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148WFL-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF30100S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20100S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150-3FGG676C
Xilinx Inc.
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
XC4008E-1PQ208C
Xilinx Inc.
APA750-FG896
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208I
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGTMC7K3F40C1N
Intel
XC4003E-2PC84I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation