casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS13-M3/5AT
codice articolo del costruttore | SS13-M3/5AT |
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Numero di parte futuro | FT-SS13-M3/5AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SS13-M3/5AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS13-M3/5AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS13-M3/5AT-FT |
ESH1B-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH1B-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH1C-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH1C-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH1D-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH1D-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH1D-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH1DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH1DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1A-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V1500-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC4010E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027H3F35E2LG
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XCV150-6BG256C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel