casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ESH1C-E3/5AT
codice articolo del costruttore | ESH1C-E3/5AT |
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Numero di parte futuro | FT-ESH1C-E3/5AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ESH1C-E3/5AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESH1C-E3/5AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ESH1C-E3/5AT-FT |
BYG22A-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22A-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22A-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22B-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22B-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22B-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22D-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22D-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22D-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M50DCF484C8G
Intel
5SGSMD5K2F40C3
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
LFXP2-40E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1X
Intel