casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SRT16 A1G
codice articolo del costruttore | SRT16 A1G |
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Numero di parte futuro | FT-SRT16 A1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SRT16 A1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | T-18, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | TS-1 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SRT16 A1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SRT16 A1G-FT |
JANTXV1N3595A-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N3600
Microsemi Corporation
JANTXV1N4942
Microsemi Corporation
JANTXV1N4944
Microsemi Corporation
JANTXV1N4946
Microsemi Corporation
JANTXV1N5186
Microsemi Corporation
JANTXV1N5415
Microsemi Corporation
JANTXV1N5416US
Microsemi Corporation
JANTXV1N5417US
Microsemi Corporation
JANTXV1N5418US
Microsemi Corporation
AX250-2FG484
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F27C4N
Intel
EP2SGX60EF1152C3N
Intel
LFE2-12SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBI356-4
Intel
EPF6016QC208-2N
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel