casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SRA2050HC0G
codice articolo del costruttore | SRA2050HC0G |
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Numero di parte futuro | FT-SRA2050HC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SRA2050HC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SRA2050HC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SRA2050HC0G-FT |
UG8J C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1060 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR860 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERA808G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA808G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG12JHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GPA801 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GPA801HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GPA802 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GPA802HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel