casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HERA808G C0G
codice articolo del costruttore | HERA808G C0G |
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Numero di parte futuro | FT-HERA808G C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HERA808G C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 80ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HERA808G C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HERA808G C0G-FT |
CRH01(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS01(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS08(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS09(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS04(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS06(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS11(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRF03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRG03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRG04(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel