casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SR102HR1G
codice articolo del costruttore | SR102HR1G |
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Numero di parte futuro | FT-SR102HR1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SR102HR1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SR102HR1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SR102HR1G-FT |
MUR160AHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR190A B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR190A R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR190AHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR190AHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR190AHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF11G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF11G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF11G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF11GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel